技術(shù)文章
Technical articles數(shù)字式四探針測試儀/臺式四探針電阻率測試儀 型號:DP-2258C
概述
DP-2258C型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測試臺等分組成。
主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校能;電壓電流自動轉(zhuǎn)換量程;測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀特贈設(shè)測試結(jié)果分類能,zui大分類10類。
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測量。配探頭,也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
測試臺選配:般四探針法測試電阻率/方阻配DP-T-A或DP-T-B或DP-T-C或DP-T-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選DP-T-K型測試臺,也可選配DP-T-D型測試臺以測試半導(dǎo)體粉末電阻率,選配DP-T-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》
儀器具有測量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測試。
三、基本參數(shù)
1. 測量范圍、分辨率(括號內(nèi)為可向下拓展1個數(shù)量級)
電 阻:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103 Ω
(1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω)
電 阻 率:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103 Ω-cm
(1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω-cm)
方塊電阻:50.0×10-6 ~ 900.0×103 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ~ 0.5×103 Ω/□
(5.0×10-6 ~ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×103 Ω/□)
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定)
直 徑: DP-T-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,手持方式不限
DP-T-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm,手持方式不限.
長()度: 測試臺直接測試方式 H≤100mm, 手持方式不限.
測量方位: 軸向、徑向均可
量程劃分及誤差等級
滿度顯示 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 | 2.000 |
常規(guī)量程 | kΩ-cm/□ | kΩ-cm/□ | Ω-cm/□ | mΩ-cm/□ | --- | ||||
zui大拓展量程 | --- | kΩ-cm/□ | Ω-cm/□ | mΩ-cm/□ | mΩ-cm/□ | ||||
基本誤差 | ±2%FSB ±4LSB | ±1.5%FSB ±4LSB | ±0.5%FSB±2LSB | ±0.5%FSB ±4LSB | ±1.0%FSB ±4LSB |
作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W
5.外形尺寸: 245mm(長)×220 mm(寬)×95mm()
凈 重:≤1.5~2.0kg